本計畫以矽晶圓上n-/p-型通道之鐵電記憶體(Ferroelectric FET, FeFET)整合高介電材質AlON介面層作為研究平台，探討γ-ray輻射效應對其電性表現、可靠度以及讀取延遲(read latency)所造成的影響。本研究最大的貢獻是首次以p-FeFET鐵電記憶體進行相關的輻射測試，研究結果發現，儘管相較n-FeFET，p-FeFET之記憶體視窗(memory window)較小，但其展現更為優異的耐久度(endurance)、電流開關比(ON/OFF ratio)與讀取延遲，因此極具有應用於太空任務的潛力。