由國際電機電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineers，IEEE)電子元件學會(Electron Devices Society)與日本應用物理學會(Japan Society of Applied Physics)主辦的Symposium on VLSI Technology是半導體領域最頂尖國際會議之一，被視為積體電路技術與先進半導體元件開發的指標。被接受的論文不僅需要具備學理上的創新，更需要兼具產業價值與前瞻性，與會者包含世界知名大學/研究中心團隊與國際半導體大廠的研究人員。

 

包括陳坤意同學、黃嬿華同學、高睿彣同學與陳彥孝同學在內的研究團隊發現HfZrOx鐵電層在Si晶圓上的可靠度問題如反覆操作下的疲乏(fatigue)效應、印記(imprint)效應以及長時間的狀態保存(retention)劣化效應在SiGe薄膜上均可以獲得改善，且此改善程度隨著Ge濃度增加而越加明顯。當積體電路技術微縮至3 nm後，原有的Si製程平台有機會轉換至SiGe甚至是Ge平台。本研究主要的意義在於以理論及實驗確認未來先進製程轉移至新平台後，鐵電層的品質與可靠度將有更為優異的表現，這對於實現低功率與高速操作的鐵電記憶體與邏輯元件有重要而深遠的影響。