本計畫將採用包括電漿製程、鍺磊晶層與P型記憶體等先進的製程技術與結構開發具有高可靠度且適用於太空應用、醫療設備與核能產業等抗輻射需求之次世代非揮發記憶體。本計畫可厚實我國的先進製程並協助產業界掌握關鍵技術。在國家發展綠色科技、社會邁向永續發展的趨勢下，本技術除了可以強化人工智慧所需之記憶體內運算能力，改善生活環境外，亦能提升我國太空科技自主性，促進經濟發展。